【宮崎】SiCプロセス開発エンジニア（SiCエピ、SiC基盤の研究開発）

職種

製品開発／研究開発(化学)

勤務地

宮崎県宮崎市清武町木原727

年収

400万～800万円

仕事内容

SiCエピ・SiC基板の研究開発、評価に関する業務をご担当いただきます。
【具体的には】

・装置立上

8インチSiCエピ装置及びその評価装置の立上、安定稼働
等

・エピ技術開発

8インチSiCエピ成長技術の研究開発(エピ特性の向上)
等

・基板評価

8インチSiC基板の評価・分析、基板メーカへの評価結果のフィードバック
等


【配属部署のミッション】
配属部署のミッションは次世代SiCデバイスの開発及びSiCプロセス開発です。

【入社後のキャリアステップ】
SiCデバイス事業部ではエピ・基板以外のSiCプロセス開発や
次世代デバイスの設計の業務に加えてSiCデバイスの商品開発も担当しております。
本人の興味や職務適性を考慮の上、ゆくゆくはこれらの業務も担当することが可能です。

【募集背景】
■デバイス事業拡大・強化に伴う増員の為
2021年に公表した中期経営計画の柱の一つである「SiCを含むパワーデバイス事業」を
車載市場と海外市場で大きく伸ばしていく為、開発力強化に向けての増員です。

【就業環境】
・残業：月30時間程度
・リモートワーク：不可
・出張：有（年2～3回程度／国内）
職場情報・PR
・・・・・・ポジションの魅力・・・・・・
■幅広い経験ができる環境です。
世界トップレベルのSiCパワーデバイスの開発に従事できるというやりがいもあります。
裁量の幅も広い為、個人のスペシャリティを見ながら柔軟に業務をお任せしています。

■エンジニアとして下記に興味のある方はやりがいを感じられる職場です。
*最先端のSiCパワーデバイス開発に従事したい方
*SiCの結晶成長技術の開発に従事したい方
*SiC基板・エピから製造プロセスまでの開発に従事したい方
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・【職種の変更の範囲】当社業務全般

応募条件

【必須】
・半導体の開発経験
・駐在に抵抗の無い方

【歓迎】
※下記いずれかのスキルを保有されている方
・SiC等の化合物半導体エピ成長技術の知識、開発経験
・SiC等の化合物半導体エピ評価の知識、開発経験
・SiC等の化合物半導体基板の知識、開発経験
・SiC等の化合物半導体デバイスプロセスの知識、開発経験

休日休暇

土曜、日曜、国民の祝日、夏期休暇　年末年始　有給休暇　結婚休暇、忌引休暇、罹災休暇、配偶者出産休暇、転勤休暇、出向休暇、公務休暇、伝染病隔離休暇、 子の看護休暇、介護休暇、産前・産後休暇、生理休暇、育児休業、介護休業、ボランティア休暇

年間休日数

130日

就業時間

08:15～17:15

企業概要

【次世代半導体、SiCの国内最大手の半導体・電子部品メーカー】
■アナログ関連技術、パワー半導体技術の強化に注力。
電源IC、パワーデバイス、センサデバイス、 受動部品、各種モジュールなどの半導体・電子部品の開発・製造・販売を行っております。
（LSI事業）…主にアナログ、ロジック、メモリ、微小電気機械システム(MEMS)を提供しています。同社の半分程の売り上げを占める事業です。
（半導体素子事業）…パワーデバイス事業と小信号デバイス事業の2つから成ります。主にダイオード、トランジスタ、発光ダイオード、半導体レーザを提供しています。
（モジュール・その他事業）…客様へ付加価値を提供することで成長を目指しています。製品は主にプリントヘッド、オプティカル・モジュール、パワーモジュール、抵抗器、タンタルコンデンサを提供しています
https://note.com/rohm_recruting/all

従業員数

23,754人