【次世代】ダイヤモンドパワー半導体エピタキシャル成長プロセス開発エンジニア

職種

製品開発／研究開発(化学)

勤務地

福島県、茨城県

年収

900万～1,000万円

仕事内容

【業務内容】
シリコン・SiC・GaNに代わる「究極の半導体」と言われるダイヤモンド半導体の世界初の社会実装に向けて、以下業務をお任せします。26年度中に量産工場立ち上げを予定しており即戦力としてご活躍いただける中堅以上の研究開発者を求めています。
【業務内容】
ダイヤモンドのエピタキシャル成長プロセス開発に関わっていただきます。
■ダイヤモンド基板や他の素材上へのエピタキシャル膜（結晶膜）の形成プロセス設計・改善。
■具体的には、ガス流量、基板温度、成膜時間などのパラメータを調整、高品質な結晶を得るための最適化。
■装置設備改善

応募条件

【必須】
■Si SIGe 等の化合物半導体のエピタキシャル成長プロセス開発経験
または設備開発経験者
■エピタキシャルプロセス開発に関する知見のある方

休日休暇

慶弔休暇　有給休暇　完全週休2日制（休日は土日祝日）　年間有給休暇10日～20日（下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります）

年間休日数

120日

就業時間

09:00～18:00

企業概要

当社は、福島第一原発での事故をきっかけとした国家プロジェクトで集結したメンバーが中心となり、「国難に立ち向かうことで集結した技術により、ダイヤモンド半導体を社会実装する」というミッションの下に立ち上がったスタートアップ企業です。

ダイヤモンド半導体は、高温環境・高放射線環境への耐性が高く、また高出力高周波素子としてのポテンシャルがあり、シリコン・SiC・GaNに代わる「究極の半導体」といわれています。
特に東日本大震災による福島第一原発での事故をきっかけに、ダイヤモンド半導体に対して注目が集まり、廃炉作業への実装抜向けた国家プロジェクトがこれまでに進行してきました。
当社は、同プロジェクトで集積した技術を軸に、宇宙や次世代通信基地に向け世界初となりダイヤモンド半導体の社会実装を目指しています。

従業員数

25人