【京都】パワーデバイス開発エンジニア（SiC）

職種

回路設計

勤務地

京都府京都市右京区西院溝崎町21

年収

500万～850万円

仕事内容

・SｉCパワーデバイス開発・設計
・SｉCパワーデバイスプロセス開発/プロセスインテグレーション

■SiC（シリコンカーバイト）は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が実現出来ます。
既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。【職種の変更の範囲】当社業務全般

応募条件

※下記、いずれかのご経験がある方。
・半導体業界でSｉCの研究開発経験
・トランジスタ/ダイオード/LSI等のデバイス開発経験
・半導体プロセス開発経験、プロセスインテグレーション経験

休日休暇

土曜、日曜、国民の祝日、夏期休暇　年末年始　有給休暇　結婚休暇、忌引休暇、罹災休暇、配偶者出産休暇、転勤休暇、出向休暇、公務休暇、伝染病隔離休暇、 子の看護休暇、介護休暇、産前・産後休暇、生理休暇、育児休業、介護休業、ボランティア休暇

年間休日数

130日

就業時間

08:15～17:15

企業概要

【次世代半導体、SiCの国内最大手の半導体・電子部品メーカー】
■アナログ関連技術、パワー半導体技術の強化に注力。
電源IC、パワーデバイス、センサデバイス、 受動部品、各種モジュールなどの半導体・電子部品の開発・製造・販売を行っております。
（LSI事業）…主にアナログ、ロジック、メモリ、微小電気機械システム(MEMS)を提供しています。同社の半分程の売り上げを占める事業です。
（半導体素子事業）…パワーデバイス事業と小信号デバイス事業の2つから成ります。主にダイオード、トランジスタ、発光ダイオード、半導体レーザを提供しています。
（モジュール・その他事業）…客様へ付加価値を提供することで成長を目指しています。製品は主にプリントヘッド、オプティカル・モジュール、パワーモジュール、抵抗器、タンタルコンデンサを提供しています
https://note.com/rohm_recruting/all

従業員数

23,754人