フラッシュメモリ設計エンジニア

職種

回路設計

勤務地

神奈川県横浜市港北区新横浜2-3-12新横浜スクエアビル9Ｆ

年収

600万～1,200万円

仕事内容

【プログラム格納用メモリ世界トップクラスシェア／海外市場上場のグローバル企業/2000億円の売上／離職率3%／残業月20時間程度】
デザインエンジニアとして、不揮発性メモリの設計・開発をお任せいたします。
1X、2Xnm世代のNAND設計開発を行っていただきます。

◆同社の特徴・魅力：
◇安定した雇用…当社の事業戦略から安定した業績を重ねているため、半導体メーカーによく見られる人員削減を実施したことがございません。安心して働き続けられる環境が整っております。
◇長期就業が可能な環境…中途入社の社員が多いこともあり、社内の風通しは良く、近年の離職率も3％と多くの社員が長期的に就業をしております。個人の裁量が大きいため、場所を選ばず効率的な働き方が可能で、残業月20時間程度が平均となっております。
◇景気変動を受けにくい安定経営…半導体業界の中でも景気変動や開発競争が激しい、PCやスマホ向けメモリからは撤退をしており、オートモーティブ領域やアミューズメント機器、固定電話等、製品ライフサイクルが長い分野に製品を集中させております。これらの製品に使用されるメモリは同じものを長期的に供給することが求められるため、設備投資も一定規模で抑えることができ、安定した受注を重ねることに成功しております。

応募条件

【必須】
（1）科学、工学、電気工学系専攻
（2）英語での基本的なコミュニケーションスキル
（3）1Xまたは2XnmのNANDメモリに関する3年以上の実務経験があり、以下に精通していること
・I/O、論理回路、アナログ回路とメモリのレイアウト
・ワンチップとリード/ライトパスのシミュレーション
・Si.を使用しての評価
（4）英語力：ビジネスレベル

休日休暇

完全週休2日制（休日は土日祝日）、GW、夏季、年末年始休暇、年次有給休暇等

年間休日数

124日

就業時間

09:00～18:00

企業概要

【ウィンボンド・エレクトロニクスは、台湾台中に本社を置く、半導体メモリ・ソリューションの世界的リーディング・サプライヤです。】
◆スペシャリティメモリの設計、製造、販売
※NORフラッシュメモリ分野でトップクラスのシェアを有するWinbond　Electronics社（台湾）の日本法人です。(1987年の9月に設立、1995年台湾株式取引市場に上場)
【主要製品】スペシャリティDRAM、モバイルDRAM、コードストレージ・フラッシュメモリ
【売上高】2017年の事業収益は約12.5億USドルです。
【本社所在地】台湾 台中科学技術園区内
【オフィス】香港、中国、日本、イスラエル、米国(前世界で約2800人の従業員が在籍)

従業員数

95人