新電元工業株式会社
- 情報更新日: 2024年04月25日
- 求人ID No.0230594
【朝霞】MOSFET/ウエーハプロセス及びデバイスの設計・開発
求人情報
- 職種
- 製品開発/研究開発(電気・電子)
- 勤務地
- 埼玉県朝霞市幸町3丁目14番1号
- 年収
- 500万~1,000万円
- 仕事内容
- ■MOSFET/ウエーハプロセス及びデバイスの設計・開発をお任せします
Si系パワーMOSFET、IGBT、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務
(プロセス設計、デバイスTEG設計、試作、製品評価)
- 応募条件
- 【必須】
・Si系パワーMOSFET、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務の5年以上のご経験
・担当テーマに対し情熱を持って取り組むことができる人
【歓迎】
・パワー半導体に関する知識
・デバイスシミュレータのスキル
・プロセスシミュレータのスキル
・TEG(マスク)設計CADのスキル
・静特性測定、動特性測定のスキル
・半導体デバイスに関する特許取得経験
- 休日休暇
- 年末年始 夏期休暇 有給休暇 完全週休2日制 年次有給休暇(半日利用可能)、育児休暇、妊娠通院休暇等
- 年間休日数
- 130日
- 就業時間
- 08:20~16:55
企業情報
- 企業概要
- 【デバイス事業】一般整流ダイオード、ブリッジダイオード、高速整流ダイオード、トランジスタ、MOSFET、IGBTなど
【エネルギーシステム事業】 EV充電器 電源製品(通信局用整流器、移動体基地局用整流器、通信用インバータ、電力集中監視システム)等
【電装事業】電装製品(二輪車用レギュレータ/レクティファイア、四輪車用DC/DCコンバータユニット等)
■事業所:朝霞事業所、大阪支店、名古屋支店、浜松営業所、宇都宮出張所
- 従業員数
- 5,215人
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