★【静岡】パワーデバイス・プロセス開発エンジニア(GaN)

職種

生産技術(電気・電子)

勤務地

静岡県浜松市南区三和町10

年収

500万～850万円

仕事内容

■１、GaNデバイス・プロセスの設計・開発業務
商品機種開発に繋げるための、GaNチップ開発を担当して頂きます。
【具体的には…】顧客要望調査⇒デバイススペックのコンセプト決定、デバイス構造・Die構造設計、プロセスフロー設計、プロセス開発、デバイス評価が全体像になりますが、グループとしての業務対応のため、主にプロセスフロー設計・プロセス開発以外の部分を担当してもらうことになります。その視点では、チップ機種開発単位での仕事割り振りになりますが、設計・評価相談や異常対応はグループ・課全体で対応します。本社業務がメインになりますが、浜松工場での現場開発業務も存在します（月1-2回程度、期間：2-3日週間/回）。

■２、Foundry開発
上記以外の選択肢として、海外Foundryへの技術移管や共同開発の業務が存在します。
デバイス・プロセス評価結果を元に改善案をFoundryに対して提示・指示し、社外でのウェハプロセス立上げを実施・完了させる業務になります。本社内での試作サンプル信頼性評価も存在します。こちらは必要に応じて海外出張が存在します（年4-5回程度、期間：1週間/回）

※業務１、２は両方を主担当として実施してもらうことは想定していませんが、リーダーとして入社された場合は両方関与する可能性があります。

【就業環境】
・残業：月平均15時間程度
・リモートワーク：可（週1回程度）
・出張：１、浜松
頻度：月1-2回程度、期間：2-3日間/回




２、台湾
頻度：年4-5回程度、期間：～1週間/回
（上記業務の１、２に対応）
※ご経歴を拝見し、可能性のある方については他の化合物半導体の開発エンジニアについても検討させていただきます。


＜GaNパワーデバイスとは＞
GaN（窒化ガリウム）とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のこと。物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で採用が始まっている。例えば、GaNパワーデバイスを、DC/DCコンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できる。既に量産化が始まっているSiC（シリコン・カーバイド）を補完するパワーデバイスとして、今後も普及が期待されています。【職種の変更の範囲】当社業務全般

応募条件

【必須】※下記いずれかのスキル、経験を保有されている方
・半導体材料物性、半導体プロセスの知識
・パワー or RF GaNデバイス設計（エピ・デバイス構造）、プロセス開発、製造・量産化の経験
【歓迎】
・5名以上のグループ、課を率いたご経験のある方。もしくはリーダー業務にチャレンジしたい方
・英語での技術ディスカッションが可能な方
・半導体プロセスインテグレーション業務経験、商品開発業務経験のある方

休日休暇

土曜、日曜、国民の祝日、夏期休暇　年末年始　有給休暇　結婚休暇、忌引休暇、罹災休暇、配偶者出産休暇、転勤休暇、出向休暇、公務休暇、伝染病隔離休暇、 子の看護休暇、介護休暇、産前・産後休暇、生理休暇、育児休業、介護休業、ボランティア休暇

年間休日数

130日

就業時間

08:15～17:15

企業概要

【次世代半導体、SiCの国内最大手の半導体・電子部品メーカー】
■アナログ関連技術、パワー半導体技術の強化に注力。
電源IC、パワーデバイス、センサデバイス、 受動部品、各種モジュールなどの半導体・電子部品の開発・製造・販売を行っております。
（LSI事業）…主にアナログ、ロジック、メモリ、微小電気機械システム(MEMS)を提供しています。同社の半分程の売り上げを占める事業です。
（半導体素子事業）…パワーデバイス事業と小信号デバイス事業の2つから成ります。主にダイオード、トランジスタ、発光ダイオード、半導体レーザを提供しています。
（モジュール・その他事業）…客様へ付加価値を提供することで成長を目指しています。製品は主にプリントヘッド、オプティカル・モジュール、パワーモジュール、抵抗器、タンタルコンデンサを提供しています
https://note.com/rohm_recruting/all

従業員数

23,754人