【東京】フィールドプロセスエンジニア

職種

生産技術(化学)

勤務地

東京都品川区北品川1-8-11Daiwa品川Northビル9Ｆ

年収

650万～1,100万円

仕事内容

・装置のインストレーション(GaAs、Inp、MOCVD、SiC高温CVD）、アフターサービス、電話・メールによるテクニカルサポート
・GaAs、InP、MOCVDおよびSiC高温CVD装置のインストレーション
・SiCエピタキシャル成長プロセスのサポート
・ドイツ本社との技術打ち合わせ（主に電話会議）、場合により、他の拠点（アジア、アメリカ、ヨーロッパ）へのサポート支援を行って頂きます。
・入社後は半年程度のOJT（一部海外の可能性有り）
・顧客は国内各地に点在しており出張の頻度は高くなります。海外拠点からのサポート出張の可能性もあります。

【募集背景】
売上拡大による増員。

【魅力】
当社はパワーデバイス、レーザーなどの化合物半導体の製造装置（MOCVD）の分野で世界シェアNo.1の企業です。化合物半導体は、今後更なる市場拡大が期待されるEVやAIに多く使用されており、最先端のお客様を支える事により、社会貢献も担っています。

応募条件

【必須】
・真空装置か半導体製造装置の取り扱い経験
・化合物半導体エピの経験があり、また結晶工学の知識を有する
・III-V族（GaN、GaAs、InP）MOCVD、SiC高温CVDなどに関する実務経験
・エピウエハ評価に関する知識または経験
・化合物半導体のプロセスに関する実務経験
・本社ドイツとのコミュニケーション（英語）

休日休暇

慶弔休暇　年末年始　有給休暇

年間休日数

120日

就業時間

09:00～17:30

企業概要

・MOCVDのトップメーカーである独AIXTRON SEの100％日本法人
・ドイツ本社では、化合物半導体用MOCVD装置に加え、SiCパワーデバイス用エピタキシャル装置、2Dマテリアル成長合成装置など開発・製造している。
・AIの普及で注目されている光電融合に不可欠な通信用レーザーの需要が急激に拡大しており、その製造装置として注目されている。また、電気自動車向けとして、損失の少なく効率の高デバイスの材料としてSiCやGaNが採用されてきており、当社の製造装置に対する需要も拡大している。その他、通信の５G化、３Dセンシング用レーザーなど、今後も普及拡大が見込まれる市場向けデバイスの製造装置として、需要が継続している。
・国内でも多くの企業様に量産装置として採用されている。
・国内外の企業、大学等の研究機関で、最先端技術の研究開発の為、当社装置が使用されている。

従業員数

23人