【山梨】SiCパワーデバイス開発エンジニア(54151)

職種

生産技術(電気・電子)

勤務地

山梨県甲斐市　（山梨工場）

年収

500万～1,000万円

仕事内容

■職務内容
▼パワーデバイス・プロセス開発
・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築
・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など多部門との連携

■募集の背景
当社では、SiやSiCのパワーMOS、IGBTなどのパワーデバイス事業拡大を計画しています。これらの次世代プロセス開発や生産能力増強（大口径化や生産委託）などのプロジェクトを推進するリーダー候補となる人材を募集します。
他社様と比較して、マイコン、SoC、アナログ半導体、パワー半導体など幅広い製品ラインナップを揃えており、マイコンは世界トップクラスのシェアです。パワー半導体においても世界トップクラスの性能を有するパワーMOSやIGBTを開発・製品化しています。それらを支えるデバイス・プロセス技術を、多岐にわたるエンジニア集団が構造、工程設計のアイデアを創出して総合力で実現しています。人材育成を重視し、非常にやりがいのあるソリューション提案型の開発業務です。

応募条件

【必須】
・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験　３年以上
（半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験）
・期待する行動役割など(求める人物像)
パワーデバイス未経験の方でも当分野トップレベルのエンジニアとしてスキルアップに取り組める方
・英語に対して、抵抗のない方

【歓迎】
・パワーデバイス（IGBT、パワーMOS(Si、SiC）、FRD)開発経験

休日休暇

完全週休2日制　慶弔休暇　年末年始　夏期休暇　有給休暇　出産予定・育児休職

年間休日数

125日

就業時間

09:00～17:30

企業概要

≪日立製作所、三菱電機、NECの半導体部門統合により誕生した国内最大規模、世界でも有数の半導体メーカーです。≫
■「自動車」「産業・家電」「OA・ICT」の3分野に注力した取り組みを行っており、とりわけ車載マイコン分野では世界シェアNo.1を誇ります。
■組織セグメントをアプリケーションに従属させることで、お客様の要望に寄り添うマーケットイン型の体制を整えてきました。また、キット・プラットフォームソリューションの強化により、当社の提供価値を拡大しております。
■現在、同社は「機能安全」「セキュリティ」「センシング」「ローパワー」「コネクティビティ」の5点を最注力技術として強化しております。確かな基盤技術のもと、世界最先端の技術を支えるルネサスでともに働きませんか。

従業員数

20,962人