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東芝デバイス&ストレージの検索結果

以下の検索条件で
11件の求人が見つかりました

11件中(1~11件表示)

東芝デバイス&ストレージ株式会社
A1【神奈川】ディスクリート半導体のアプリケーションエンジニア
  • 勤務地

    神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地

  • 年収

    4501,000万円

  • 職種

    FAE/サービスエンジニア(電気・電子)

東芝デバイス&ストレージ株式会社
Q1【神奈川】 半導体製品の品質・信頼性エンジニア
  • 勤務地

    神奈川県川崎市幸区堀川町580−1 半導体システム技術センター分室

  • 年収

    450750万円

  • 職種

    品質管理/品質保証(電気・電子)

東芝デバイス&ストレージ株式会社
A1【福岡】光半導体のアプリケーションエンジニア
  • 勤務地

    福岡県豊前市沓川760番地 東芝デバイス&ストレージ株式会社 豊前分室

  • 年収

    4501,000万円

  • 職種

    FAE/サービスエンジニア(電気・電子)

東芝デバイス&ストレージ株式会社
D4-1【神奈川】システムデバイス(主にマイコン)の製品開発・デバイス開発エンジニア
  • 勤務地

    神奈川県川崎市幸区堀川町580−1 東芝デバイス&ストレージ株式会社 半導体システム技術センター

  • 年収

    4501,000万円

  • 職種

    生産技術(化学)

東芝デバイス&ストレージ株式会社
D1-4【福岡】小信号デバイスの製品開発エンジニア
  • 勤務地

    福岡県直方市大字上新入1891−1 東芝デバイス&ストレージ株式会社 豊前分室直方地区

  • 年収

    4501,000万円

  • 職種

    回路設計

東芝デバイス&ストレージ株式会社
E1【神奈川】アナログIC設計開発エンジニア
  • 勤務地

    神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地

  • 年収

    4501,000万円

  • 職種

    回路設計

東芝デバイス&ストレージ株式会社
K1【神奈川】組み込みソフトウェア開発エンジニア
  • 勤務地

    神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地

  • 年収

    4501,000万円

  • 職種

    組み込み

東芝デバイス&ストレージ株式会社
D2【兵庫】化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア(SiC)
  • 勤務地

    兵庫県揖保郡太子町鵤300

  • 年収

    4501,000万円

  • 職種

    製品開発/研究開発(化学)

東芝デバイス&ストレージ株式会社
L1【神奈川】マイコン・システム LSIの設計エンジニア
  • 勤務地

    神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地

  • 年収

    4501,000万円

  • 職種

    回路設計

東芝デバイス&ストレージ株式会社
D4-2【神奈川】製品開発エンジニア(汎用小型IC)
  • 勤務地

    神奈川県川崎市幸区堀川町580−1 東芝デバイス&ストレージ株式会社 半導体システム技術センター

  • 年収

    4501,000万円

  • 職種

    生産技術(化学)

東芝デバイス&ストレージ株式会社
D4-1【神奈川】製品開発エンジニア(主にマイコン)
  • 勤務地

    神奈川県川崎市幸区堀川町580−1 東芝デバイス&ストレージ株式会社 半導体システム技術センター

  • 年収

    4501,000万円

  • 職種

    生産技術(化学)

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